- Samsung begint met commerciële verzendingen van HBM4 nu de concurrentie om AI-geheugen toeneemt
- HBM4 bereikt snelheden van 11,7 Gbps en zorgt tegelijkertijd voor grotere bandbreedte- en efficiëntiewinsten voor datacenters
- Samsung schroeft de productieplannen terug met een roadmap die zich uitstrekt tot HBM4E en aangepaste geheugenvarianten
SAMSUNG beweert niet alleen te zijn begonnen met de massaproductie van HBM4-geheugen, maar ook de eerste commerciële eenheden naar klanten te hebben verzonden, en claimt daarmee een primeur in de sector te zijn voor de volgende generatie geheugen met hoge bandbreedte.
HBM4 is gebouwd op het 10 nm-klasse DRAM-proces van de zesde generatie van Samsung en maakt gebruik van een 4 nm kernlogica-chip, die naar verluidt de Zuid-Koreaanse geheugengigant heeft geholpen stabiele opbrengsten te behalen zonder herontwerpen naarmate de productie toeneemt.
Dit is een technische claim die waarschijnlijk zal worden getest zodra grootschalige implementaties beginnen en onafhankelijke prestatieresultaten verschijnen.
Capaciteit tot 48 GB
Het nieuwe geheugen haalt een constante overdrachtssnelheid van 11,7 Gbps, met een marge tot 13 Gbps in sommige configuraties.
Samsung vergelijkt dit met een industriële basis van 8Gbps en plaatst de HBM3E op 9,6Gbps. De totale geheugenbandbreedte neemt toe tot 3,3 TB/s per stack, wat ongeveer 2,7 keer hoger is dan bij de vorige generatie.
De capaciteit varieert van 24 GB tot 36 GB in stapels met 12 niveaus, en er komen versies met 16 niveaus. Dit zou de capaciteit kunnen vergroten tot 48 GB voor klanten die compactere configuraties nodig hebben.
Stroomverbruik is een belangrijk probleem omdat HBM-ontwerpen het aantal pinnen vergroten, en deze generatie gaat van 1.024 naar 2.048 pinnen.
Samsung zegt dat het de energie-efficiëntie met ongeveer 40% heeft verbeterd ten opzichte van de HBM3E via laagspannings-through-silicium-via-technologie en veranderingen in de stroomverdeling, samen met thermische veranderingen die de warmteafvoer en het uithoudingsvermogen vergroten.
“In plaats van het conventionele pad te volgen en bestaande beproefde ontwerpen te gebruiken, waagde Samsung de sprong en adopteerde de meest geavanceerde knooppunten zoals 1c DRAM en 4nm logisch proces voor HBM4”, zegt Sang Joon Hwang, EVP en hoofd geheugenontwikkeling bij Samsung Electronics.
“Door gebruik te maken van onze procesconcurrentiekracht en ontwerpoptimalisatie zijn we in staat een substantiële prestatiemarge te realiseren, waardoor we kunnen voldoen aan de groeiende vraag van onze klanten naar hogere prestaties, wanneer zij die nodig hebben.”
Het bedrijf wijst ook op de productieschaal en de interne verpakking als belangrijke redenen om aan de verwachte groei van de vraag te voldoen.
Dit omvat nauwere coördinatie tussen gieterij- en geheugenteams, evenals partnerschappen met GPU-fabrikanten en hyperscalers die aangepaste AI-hardware creëren.
Samsung zegt dat het een sterke groei van zijn HBM-activiteiten verwacht in 2026, met HBM4E-samples gepland voor later dit jaar en aangepaste HBM-samples gepland voor 2027.
Of concurrenten reageren met vergelijkbare tijdschema’s of snellere alternatieven, zal bepalen hoe lang dit aanvankelijke voordeel zal duren.
Volg TechRadar op Google Nieuws EN voeg ons toe als uw favoriete bron om nieuws, recensies en meningen van onze experts in uw feeds te krijgen. Klik dan zeker op de knop Volgen!
En jij kunt dat natuurlijk ook Volg TechRadar op TikTok voor nieuws, recensies, unboxing in videoformaat en ontvang regelmatig updates van ons WhatsApp ook.
